Время жизни носителей заряда и диффузионная длина |
Время жизни носителей заряда и диффузионная длина
В каждом полупроводнике носители имеют некоторое среднее время жизни , так как генерируемые носители заряда могут рекомбинировать, встречаясь между собой и с различными дефектами решетки. характеризует время жизни неосновных (и неравновесных) носителей заряда, появляющихся, например, при воздействии на образец светом (условие равновесия np=ni2) характеризует равновесные носители заряда при данной температуре. Время жизни определяется по формуле = 1/(VT N S), где • VT тепловая скорость носителей заряда, • S сечение захвата, • N концентрация ловушек. Значения n и p могут находиться в зависимости от типа полупроводника, носителей, температуры и других факторов в диапазоне от 10 -16 до 10 -2 с. Избыточные носители, диффундируя от места генерации за время жизни, преодолевают некоторое расстояние L до тех пор, пока их концентрация уменьшится в "е" раз. Это расстояние называется диффузионной длиной, которая определяется по формуле L = D , где D - коэффициент диффузии. Диффузией изготовляются p-n переходы. Предельно высокое значение требуется для фотоприемников, излучательных и других приборов.
|