Время жизни носителей заряда и диффузионная длина

В каждом полупроводнике носители имеют некоторое среднее время жизни  , так как генерируемые носители заряда могут рекомбинировать, встречаясь между собой и с различными дефектами решетки.  характеризует время жизни неосновных (и неравновесных) носителей заряда, появляющихся, например, при воздействии на образец светом (условие равновесия np=ni2) характеризует равновесные носители заряда при данной температуре. Время жизни определяется по формуле
= 1/(VT N S),
где
•    VT тепловая скорость носителей заряда,
•    S сечение захвата,
•    N концентрация ловушек.
Значения  n и  p могут находиться в зависимости от типа полупроводника, носителей, температуры и других факторов в диапазоне от 10 -16 до 10 -2 с.
Избыточные носители, диффундируя от места генерации за время жизни, преодолевают некоторое расстояние L до тех пор, пока их концентрация уменьшится в "е" раз. Это расстояние называется диффузионной длиной, которая определяется по формуле
L = D ,
где D - коэффициент диффузии.
Диффузией изготовляются p-n переходы. Предельно высокое значение  требуется для фотоприемников, излучательных и других приборов.