Для поиска темы - пользуйтесь СИСТЕМОЙ ПОИСКА


Стоимость дипломной работы


Home Для студента... Потери на электропроводность

Потери на электропроводность
загрузка...
Рейтинг пользователей: / 0
ХудшийЛучший 

Потери на электропроводность

Протекание сквозного тока через диэлектрик как в постоянном, так и в переменном электрическом поле приводит к диэлектрическим потерям на электропроводность. Потери сквозной электропроводности будут единственным видом потерь в однородном неполярном диэлектрике, для которого можно использовать простейшую параллельную схему замещения ( соответствующий раздел: тангенс угла диэлектрических потерь, схемы замещения, рис. а). Для такой схемы замещения по определению tg  = Ia/Ic = U/R .1/UwC = 1/RwC, т.е. tg  будет обратно пропорционален частоте. Потери на электропроводность будут наблюдаться также и в полярных диэлектриках. Так как tg  диэлектриков пропорционален активной проводимости tg =  a/  c, то ясно, что tg  будет следовать за изменением  a, которая увеличивается экспоненциально с увеличением температуры.

Поэтому для неширокого диапазона температур можно написать tg  = tg о еat, где а и tg о - постоянные, характерные для данного диэлектрика.
Для ионных кристаллов можно получить другое выражение для tg :
tg  = (1.8 1010  o/ f) e-Wa/kT .
Видим, что в последнем выражении предъэкспоненциальный множитель tg  зависит обратно пропорционально от частоты поля и диэлектрической проницаемости материала.

Значения tg  неполярных полимеров (полиэтилена, политетрафторэтилена) ничтожно малы и лежат в диапазоне (2-5) 10-4. На высоких частотах tg , обусловленный сквозным током, менее 10-4. Следует иметь в виду, что tg  конденсатора с неполярным диэлектриком с ростом частоты уменьшается не беспредельно, а начиная с некоторой частоты начинает линейно возрастать в соответствии с выражением, полученным из последовательной схемы замещения
tg м= r Cs,
где r, Cs - сопротивление обкладок и емкость последовательной схемы замещения конденсатора Рост составляющей tg м обусловлен увеличением с ростом частоты потерь в металлических (проводящих) частях. Следовательно, на общей зависимости tg  конденсатора с диэлектриком от частоты при некотором значении частоты должен иметь место минимум. В случае конденсатора с полярным диэлектриком, начиная с некоторой частоты, потери в обкладках также будут возрастать линейно


 
загрузка...

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить